microSDHC/SDXC420T

Las tarjetas de memoria microSDXC/SDHC 420T de Transcend, que utilizan flash 3D NAND de alta calidad y están clasificadas para soportar 3K ciclos P/E, combinan las ventajas de un alto rendimiento y una resistencia excepcional a un precio asequible, lo que las hace ideales para aplicaciones de escritura intensiva como dispositivos médicos, sistemas de vigilancia y terminales de punto de venta.

Cambio en la lectura de datos

Recogida de basuras

Nivelación del desgaste

Gestión de bloques defectuosa

Traslado anticipado

CARACTERÍSTICAS DEL FIRMWARE

  • Función ECC (código de corrección de errores) integrada
  • Traslado anticipado
  • Nivelación del desgaste

CARACTERÍSTICAS DEL HARDWARE

  • Cumple la normativa RoHS
  • Protección electrostática (ESD IEC 61000-4-2)
  • Cumple la especificación SD 5.1
  • Compatible con UHS-I
  • Cumple la clase de velocidad 10
  • Cumple las prestaciones de las aplicaciones de clase 1 (A1)
  • Resistencia: 3K ciclos P/E (Programa/Salida) garantizados

ESPECIFICACIONES

APARIENCIA

DIMENSIONES 11 mm x 15 mm x 1 mm (0,43″ x 0,59″ x 0,04″)
FACTOR DE FORMA - Tarjeta MicroSD

ALMACENAMIENTO

TIPO DE FLASH - Flash NAND 3D
CAPACIDAD - 16 GB/

- 32 GB/

- 64 GB/

- 128 GB/

- 256 GB/

- 512 GB

ENTORNO OPERATIVO

TENSIÓN DE SERVICIO - 2,7V ~ 3,6V
PRUEBA DE OTOÑO - 1,5 m de caída libre
TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO - Estándar

-25°C (-13°F) ~ 85°C (185°F)

TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
HUMOR 0% ~ 95%
SHOCK - Aceleración: 490 m/s² (tiempo de mantenimiento estándar: 11 ms, onda semisinusoidal, cambio de velocidad: 3,44 m/s)
VIBRACIÓN (FUNCIONAMIENTO) 20 G (pico a pico), 20 Hz ~ 2.000 Hz (frecuencia)

ALIMENTOS

CONSUMO (MÁX.) 0,5 vatio(s)

RENDIMIENTO

VELOCIDAD DE LECTURA (MÁX.) Hasta 95 MB/s
VELOCIDAD DE ESCRITURA (MÁX.) Hasta 70 MB/s
TERABYTES ESCRITOS (TBW) Hasta 1.280 TBW
NOTA - La velocidad puede variar en función del host, el hardware, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.

- Los terabytes escritos (TBW) indican la resistencia bajo la capacidad más alta.