MTE710T
El SSD M.2 MTE710T de Transcend utiliza la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 4 x4 y soporta especificaciones NVM Express (NVMe) 1.4, logrando velocidades de transferencia sin precedentes. La MTE710T incorpora la tecnología 3D NAND de nueva generación, que permite el apilamiento vertical de 112 capas de chips 3D NAND Flash. En comparación con la tecnología 3D NAND de 96 capas, este avance en densidad mejora considerablemente la eficiencia del almacenamiento, y su caché DRAM integrada permite un acceso más rápido. Equipada con tecnología Corner Bond y conectores PCB de 30 µ", la MTE710T ha sido sometida a exhaustivas pruebas internas para garantizar su fiabilidad en aplicaciones clave, y presume de un índice de durabilidad de 3000 ciclos de escritura/borrado de datos, así como de una temperatura de funcionamiento ampliada que oscila entre -20℃ y 75 ℃.
CARACTERÍSTICAS DEL FIRMWARE
- Admite comandos NVM
- Tecnología de caché SLC
- Estrangulamiento térmico dinámico
- Función LDPC ECC (código de corrección de errores) integrada
- Nivelación global avanzada del desgaste y gestión de bloques defectuosos para mayor fiabilidad
- Recogida avanzada de basuras
- Función S.M.A.R.T. mejorada para mayor durabilidad
- Comando TRIM para mejorar el rendimiento
- Cifrado de disco completo con Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
CARACTERÍSTICAS DEL HARDWARE
- Cumple la normativa RoHS
- Cumple las especificaciones PCI Express 3.1
- Cumple las especificaciones NVM Express 1.4
- Factor de forma M.2 (80 mm): ideal para dispositivos informáticos móviles
- Interfaz PCIe Gen 4 x 4
- Módulo de caché DDR4 integrado
- Resistencia: 3K ciclos P/E (Program/Erase) garantizados
- Los componentes principales se refuerzan en fábrica con la tecnología Corner Bond
- Placa de circuito impreso con clavijas de conexión chapadas en oro de 30 µ de grosor
- Fiabilidad de funcionamiento garantizada en una amplia gama de temperaturas (de -20 °C a 75 °C)
- Compatible con el software Scope Pro de Transcend
ESPECIFICACIONES
APARIENCIA |
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| DIMENSIONES | 80 mm x 22 mm x 3,58 mm (3,15″ x 0,87″ x 0,14″) |
| PESO | 10 g (0,35 oz) |
| FACTOR DE FORMA | M.2 |
| TIPO M.2 | 2280-D2-M (Doble cara) |
INTERFAZ |
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| INTERFAZ DE BUS | NVMe PCIe Gen4 x4 |
ALMACENAMIENTO |
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| TIPO DE FLASH | Flash NAND 3D |
| CAPACIDAD | 256 GB/
512 GB/ 1 TB/ 2 TB |
ENTORNO OPERATIVO |
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| TENSIÓN DE SERVICIO | 3.3V±5% |
| TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO | Ampliado
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
| TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| HUMOR | 5% ~ 95% |
| SHOCK | 1500 G, 0,5 ms, 3 ejes |
| VIBRACIÓN (FUNCIONAMIENTO) | 20 G (pico a pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frecuencia) |
ALIMENTOS |
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| CONSUMO DE ENERGÍA (FUNCIONAMIENTO) | 4,9 vatios |
| CONSUMO DE ENERGÍA (EN REPOSO) | 1,52 vatio(s) |
RENDIMIENTO |
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| LECTURA / ESCRITURA SECUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) | Lectura: hasta 3.800 MB/s Escritura: hasta 3.200 MB/s |
| LECTURA / ESCRITURA ALEATORIA 4K (IOMETER) | Lectura: hasta 500.000 IOPS Escritura: hasta 560.000 IOPS |
| TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (TMFF) | 5.500.000 hora(s) |
| TERABYTES ESCRITOS (TBW) | Hasta 1.700 TBW |
| NÚMERO DE DISCOS GRABADOS AL DÍA (DWPD) | 1,55 (3 años) |
| NOTA | - La velocidad puede variar en función del host, el hardware, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.
- La carga de trabajo utilizada para calificar el DWPD puede ser diferente en comparación con su carga de trabajo real, debido a las diferencias en el hardware del host, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento. - Los terabytes escritos (TBW) indican la resistencia por debajo de la capacidad más alta. |
