MTE652T2
El SSD M.2 MTE652T2 de Transcend está diseñado con la interfaz PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 y es compatible con las especificaciones NVM Express (NVMe) 1.3, proporcionando velocidades de transferencia sin igual. La MTE652T2 utiliza la última tecnología 3D NAND para una mayor eficiencia de almacenamiento, la PCB cuenta con pines de conector de oro de 30µ de grosor y tecnología corner bond para una mayor durabilidad, caché DRAM incorporada para un acceso rápido, un rango de temperatura de funcionamiento ampliado de -20°C a 75°C y un índice de resistencia de escritura/borrado de datos de 3K para un funcionamiento fiable.
CARACTERÍSTICAS DEL FIRMWARE
- Admite comandos NVM
- Estrangulamiento térmico dinámico
- Función LDPC ECC (código de corrección de errores) integrada
- Nivelación global avanzada del desgaste y gestión de bloques defectuosos para mayor fiabilidad
- Recogida avanzada de basuras
- Cifrado de disco completo con Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)
CARACTERÍSTICAS DEL HARDWARE
- Cumple la normativa RoHS
- Cumple las especificaciones NVM Express 1.3
- Cumple las especificaciones PCI Express 3.1
- Factor de forma M.2 (80 mm): ideal para dispositivos informáticos móviles
- Interfaz PCIe Gen 3 x 4
- Módulo de caché DDR3 integrado
- Resistencia: 3K ciclos P/E (Program/Erase) garantizados
- Los componentes principales se refuerzan en fábrica con la tecnología Corner Bond
- Placa de circuito impreso con clavijas de conexión de oro de 30 µ de grosor
- Power Shield (PS) para garantizar la integridad de la transferencia de datos y minimizar la corrupción de datos en la unidad durante un fallo de alimentación.
- Fiabilidad de funcionamiento garantizada en una amplia gama de temperaturas (de -20 °C a 75 °C)
ESPECIFICACIONES
APARIENCIA |
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| DIMENSIONES | 80 mm x 22 mm x 3,58 mm (3,15″ x 0,87″ x 0,14″) |
| PESO | 9 g (0,32 oz) |
| FACTOR DE FORMA | - M.2 |
| TIPO M.2 | - 2280-D2-M (Doble cara) |
INTERFAZ |
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| INTERFAZ DE BUS | - NVMe PCIe Gen3 x4 |
ALMACENAMIENTO |
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| TIPO DE FLASH | - Flash NAND 3D |
| CAPACIDAD | - 64 GB/
- 128 GB/ - 256 GB/ - 512 GB |
ENTORNO OPERATIVO |
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| TENSIÓN DE SERVICIO | - 3.3V±5% |
| TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO | - Ampliado
-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) |
| TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO | -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F) |
| HUMOR | 5% ~ 95% |
| SHOCK | - 1500 G, 0,5 ms, 3 ejes |
| VIBRACIÓN (no funciona) | 20 G (pico a pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frecuencia) |
ALIMENTOS |
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| CONSUMO DE ENERGÍA (EN FUNCIONAMIENTO) | 3,3 vatios |
| CONSUMO DE ENERGÍA (EN REPOSO) | 0,6 vatio(s) |
RENDIMIENTO |
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| LECTURA / ESCRITURA SECUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) | Lectura: hasta 2.100 MB/s Escritura: Hasta 1.250 MB/s |
| LECTURA / ESCRITURA ALEATORIA 4K (IOMETER) | Lectura: hasta 190.000 IOPS Escritura: Hasta 290.000 IOPS |
| TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (TMFF) | 3.000.000 de horas |
| TERABYTES ESCRITOS (TBW) | Hasta 1.080 TBW |
| número de discos grabados al día (dwpd) | 2 (3 años) |
| NOTA |
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