MTE652T2

O SSD MTE652T2 M.2 da Transcend foi concebido com a interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 e é compatível com as especificações NVM Express (NVMe) 1.3, proporcionando velocidades de transferência inigualáveis. O MTE652T2 utiliza a mais recente tecnologia 3D NAND para uma maior eficiência de armazenamento, o PCB possui pinos de ligação em ouro de 30µ de espessura e tecnologia de corner bond para maior durabilidade, cache DRAM incorporada para acesso rápido, um intervalo de temperatura de funcionamento alargado de -20°C a 75°C, e uma classificação de resistência de 3K de escrita / limpeza de dados para um funcionamento fiável.

3D NAND Flash de 96 camadas

PCB tem pinos de ligação em ouro com espessura de 30µ

Corner Bond

Temperatura Extendida

Ajuste Dinâmico do Limite de Velocidade

Alteração nos Dados de Leitura

Recolha de Lixo

Nivelamento de Desgaste

TRIM

Gestão de Blocos Defeituosos

Power Shield

Early Move

CARACTERÍSTICAS DE FIRMWARE

  • Suporta comandos NVM
  • Dynamic thermal throttling
  • Função LDPC ECC (Error Correction Code) Integrada
  • Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
  • Recolha Avançada de Lixo
  • Criptografia de disco inteiro com Advanced Encryption Standard (AES) (opcional)

CARACTERÍSTICAS DE HARDWARE

  • Cumpre com os padrões RoHS
  • Cumpre com as especificações NVM Express 1.3
  • Cumpre com as especificações PCI Express 3.1
  • Fator de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móveis
  • Interface PCIe Gen 3 x 4
  • Módulo DDR3 cache integrado
  • Resistência: 3K P/E (Programar/Eliminar) ciclos garantidos
  • Os principais componentes são reforçados de fábrica com a tecnologia Corner Bond
  • PCB conta com pinos de ligação em ouro com espessura de 30µ
  • Power Shield (PS) para assegurar a integridade da transferência de dados e minimizar a corrupção dos dados na unidade durante uma falha de energía
  • Fiabilidade operativa prometida numa vasta gama de temperaturas (de -20 °C a 75 °C)

ESPECIFICAÇÕES

APARÊNCIA

DIMENSÕES 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.14″)
PESO 9 g (0.32 oz)
FATOR DE FORMA ·         M.2
TIPO M.2 ·         2280-D2-M (Dupla face)

INTERFACE

INTERFACE DE BUS ·         NVMe PCIe de Gen3 x4

ARMAZENAMENTO

TIPO DE FLASH ·         Flash 3D NAND
CAPACIDADE ·         64 GB/

·         128 GB/

·         256 GB/

·         512 GB

AMBIENTE DE FUNCIONAMENTO

TENSÃO DE FUNCIONAMENTO ·         3.3V±5%
TEMPERATURA DE FUNCIONAMENTO ·         Extentida

-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

TEMPERATURA DE ARMAZENAMENTO -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
HUMIDADE 5% ~ 95%
CHOQUE ·         1500 G, 0.5 ms, 3 eixos
VIBRAção (sem funcionar) 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequência)

ALIMENTAÇÃO

CONSUMO DE ENERGIA (FUNCIONAR) 3.3 Watt(s)
CONSUMO DE ENERGIA (IDLE) 0.6 Watt(s)

DESEMPENHO

LECTURA / ESCRITURA SECUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) Leitura: Até 2,100 MB/s
Escrita: Até 1,250 MB/s
LEITURA / ESCRITA ALEATÓRIA 4K (IOMETER) Leitura: Até 190,000 IOPS
Escrita: Até 290,000 IOPS
TEMPO MEDO ENTRE FALHAS (MTBF) 3,000,000 hora(s)
TERABYTES ESCRITO (TBW) Até 1,080 TBW
NUMERO DE DISCOS ESCRITO POR DiA (DWPD) 2 (3 anos)
NOTA
  • A velocidade pode variar devido ao host, hardware, software, uso e capacidade de armazenamento.
  • A carga de trabalho usada para qualificar o DWPD pode ser diferente em comparação com sua carga de trabalho real, devido a diferenças no hardware, software, uso e capacidade de armazenamento do host.
  • Terabytes Written (TBW) indica resistência sob a capacidade mais alta.