MTE670T

El SSD M.2 MTE670T de Transcend cuenta con una interfaz PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 y soporta especificaciones NVM Express (NVMe) 1.3 para velocidades de transferencia nunca antes vistas. La MTE670T incorpora la tecnología 3D NAND de nueva generación, que permite el apilamiento vertical de 112 capas de chips flash 3D NAND. En comparación con la NAND 3D de 96 capas, este avance en la densidad mejora enormemente la eficiencia del almacenamiento. Con una placa de circuito impreso chapada en oro de 30 µ" y tecnología Corner Bond, la MTE670T se ha sometido a pruebas internas para garantizar su fiabilidad en aplicaciones de misión crítica, con un índice de resistencia P/E de 3.000 ciclos y un rango de temperatura de funcionamiento ampliado de -20℃ ~ 75℃.

Flash NAND 3D de 112 capas

Placa de circuito impreso con clavijas de conector chapadas en oro de 30 µ de grosor

Bono de esquina

Temperatura ampliada

Ajuste dinámico del límite de velocidad

Cambio en los datos de lectura

Recogida de basuras

Nivelación del desgaste

TRIM

Gestión de bloques defectuosa

Cambio en los datos de lectura

Escudo de potencia (PS)

Características

CARACTERÍSTICAS DEL FIRMWARE

  • Admite comandos NVM
  • Tecnología de caché SLC
  • Estrangulamiento térmico dinámico
  • Función LDPC ECC (código de corrección de errores) integrada
  • Nivelación global avanzada del desgaste y gestión de bloques defectuosos para mayor fiabilidad
  • Recogida avanzada de basuras
  • Función S.M.A.R.T. mejorada para mayor durabilidad
  • Comando TRIM para mejorar el rendimiento

CARACTERÍSTICAS DEL HARDWARE

  • Cumple la normativa RoHS
  • Cumple las especificaciones NVM Express 1.3
  • Cumple las especificaciones PCI Express 3.1
  • Factor de forma M.2 (80 mm): ideal para dispositivos informáticos móviles
  • Interfaz PCIe Gen 3 x 4
  • Resistencia: 3K ciclos P/E (Program/Erase) garantizados
  • Los componentes principales se refuerzan en fábrica con la tecnología Corner Bond
  • Placa de circuito impreso con clavijas de conexión de oro de 30 µ de grosor
  • Power Shield (PS) para garantizar la integridad de la transferencia de datos y minimizar la corrupción de datos en la unidad durante un fallo anómalo del suministro eléctrico.
  • Opciones de temperatura extendida (-20°C ~ 75°C) y temperatura amplia (-40°C ~ 85°C) disponibles
  • Compatible con el software Scope Pro de Transcend

ESPECIFICACIONES

APARIENCIA
DIMENSIONES 80 mm x 22 mm x 2,23 mm (3,15″ x 0,87″ x 0,08″)
PESO 9 g (0,32 oz)
FACTOR DE FORMA - M.2
TIPO M.2 - 2280-S2-M (Una cara)

INTERFAZ
INTERFAZ DE BUS - NVMe PCIe Gen3 x4

ALMACENAMIENTO
TIPO DE FLASH - Flash NAND 3D de 112 capas
CAPACIDAD - 128 GB/

- 256 GB/

- 512 GB/

- 1 TB

ENTORNO OPERATIVO
TENSIÓN DE SERVICIO - 3.3V±5%
TEMPERATURA DE FUNCIONAMIENTO - Ampliado

-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

- Amplia temperatura

-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
TEMPERATURA DE ALMACENAMIENTO -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
HUMOR 5% ~ 95%
SHOCK - 1500 G, 0,5 ms, 3 ejes
VIBRACIÓN (FUNCIONAMIENTO) 20 G (pico a pico), 7 Hz ~ 2.000 Hz (frecuencia)

ALIMENTOS
CONSUMO DE ENERGÍA (FUNCIONAMIENTO) 3,1 vatio(s)
CONSUMO DE ENERGÍA (EN REPOSO) 0,4 vatio(s)

RENDIMIENTO
LECTURA / ESCRITURA SECUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) Lectura: hasta 2.100 MB/s
Escritura: Hasta 1.600 MB/s
LECTURA / ESCRITURA ALEATORIA 4K (IOMETER) Lectura: hasta 150.000 IOPS
Escritura: Hasta 280.000 IOPS
TIEMPO MEDIO ENTRE FALLOS (TMFF) 3.000.000 de horas
TERABYTES ESCRITOS (TBW) Hasta 960 TBW
número de discos grabados al día (dwpd) 0,88 (3 años)
NOTA - La velocidad puede variar en función del host, el hardware, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.

- La carga de trabajo utilizada para calificar el DWPD puede ser diferente en comparación con su carga de trabajo real, debido a las diferencias en el hardware del host, el software, el uso y la capacidad de almacenamiento.

- Los terabytes escritos (TBW) indican la resistencia por debajo de la capacidad más alta.

 

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