MTE670T

O SSD MTE670T M.2 da Transcend apresenta interface PCI Express (PCIe) Gen 3 x4 e suporta especificações NVM Express (NVMe) 1.3 para velocidades de transferência nunca antes vistas. O MTE670T apresenta a tecnologia 3D NAND de próxima geração, que permite o empilhamento vertical de 112 camadas de chips flash 3D NAND. Em comparação com o NAND 3D de 96 camadas, este avanço da densidade melhora muito a eficiência de armazenamento. Aplicado com um PCB com pinos de ligação dourados de 30µ” e tecnologia Corner Bond, o MTE670T é totalmente testado internamente para assegurar a fiabilidade em aplicações de missão crítica, com uma classificação de resistência P/E de 3K ciclos e uma gama alargada de temperaturas de funcionamento de -20℃ ~ 75℃.

NAND Flash 3D de 112 camadas

PCB conta com pinos de  Ligação dourado com espessura de 30µ

Corner Bond

Temperatura Extendida

Ajuste Dinâmico do Limite de Velocidade

Alteração nos Dados de Leitura

Recolha de Lixo

Nivelamento de Desgaste

TRIM

Gestão de Blocos Defeituosos

Alteração nos Dados de Leitura

Power Shield (PS)

Caraterísticas

CARACTERÍSTICAS DE FIRMWARE

  • Suporta comandos NVM
  • Tecnologia de cache SLC
  • Dynamic thermal throttling
  • Função LDPC ECC (Error Correction Code) Integrado
  • Nivelamento avançado de desgaste global e gestão de blocos defeituosos para fiabilidade
  • Recolha Avançada de Lixo
  • Função S.M.A.R.T. aprimorado para durabilidade
  • Comando TRIM para um melhor desempenho

CARACTERÍSTICAS DE HARDWARE

  • Em conformidade com os padrões RoHS
  • Cumpre com as especificações NVM Express 1.3
  • Cumpre com as especificações PCI Express 3.1
  • Fator de forma M.2 (80mm) – ideal para dispositivos informáticos móveis
  • Interface PCIe Gen 3 x 4
  • Resistência: 3K P/E (Programar/Eliminar) ciclos garantidos
  • Os principais componentes são reforçados de fábrica com a tecnologia Corner Bond
  • PCB conta com pinos de ligação de ouro com espessura de 30µ
  • Power Shield (PS) para assegurar a integridade da transferência de dados e minimizar a corrupção dos dados na unidade durante uma falha de energia anormal
  • Temperatura extendida (-20°C ~ 75°C) e Temperatura ampla (-40°C ~ 85°C) opções disponíveis
  • Suporta o software Scope Pro da Transcend

ESPECIFICAÇÕES

APARÊNCIA
DIMENSÕES 80 mm x 22 mm x 2.23 mm (3.15″ x 0.87″ x 0.08″)
PESO 9 g (0.32 oz)
FATOR DE FORMA ·         M.2
TIPO M.2 ·         2280-S2-M (Um lado)

INTERFACE
INTERFACE DE BUS ·         NVMe PCIe de Gen3 x4

ARMAZENAMENTO
TIPO DE FLASH ·         112-layer 3D NAND flash
CAPACIDADE ·         128 GB/

·         256 GB/

·         512 GB/

·         1 TB

AMBIENTE DE FUNCIONAMENTO
TENSÃO DE FUNCIONAMENTO ·         3.3V±5%
TEMPERATURA DE FUNCIONAMENTO ·         Extentida

-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

·         Temperatura ampla

-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
TEMPERATURA DE ARMAZENAMENTO -40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
HUMIDADE 5% ~ 95%
CHOQUE ·         1500 G, 0.5 ms, 3 eixos
VIBRAÇÃO (A FUNCIONAR) 20 G (Pico-a-Pico), 7 Hz ~ 2,000 Hz (frequencia)

ALIMENTAÇÃO
CONSUMO DE ENERGIA (A FUNCIONAR) 3.1 Watt(s)
CONSUMO DE ENERGÍA (IDLE) 0.4 Watt(s)

DESEMPENHO
LEITURA / ESCRITA SECUENCIAL (CRYSTALDISKMARK) Leitura: Até 2,100 MB/s
Escrita: Até 1,600 MB/s
LEITURA / ESCRITA ALEATORIA 4K (IOMETER) Leitura: Até 150,000 IOPS
Escrita: Até 280,000 IOPS
TEMPO MÉDIO ENTRE FALHAS (MTBF) 3,000,000 hora(s)
TERABYTES ESCRITO (TBW) Até 960 TBW
NUMERO DE DISCOS ESCRITO POR DiA (DWPD) 0.88 (3 anos)
NOTA ·         A velocidade pode variar devido ao host, hardware, software, uso e capacidade de armazenamento.

·         A carga de trabalho usada para qualificar o DWPD pode ser diferente em comparação com sua carga de trabalho real, devido a diferenças no hardware, software, uso e capacidade de armazenamento do host.

·         Terabytes Written (TBW) indica resistência sob a capacidade mais alta.

 

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